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三星品牌存储五周年 半导体工厂产值超百亿

科技资讯  2016年3月17日 19:18  来源:新浪科技
摘要:3月17日,三星品牌存储“5年相伴,铭刻于星“五周年庆典活动在北京朝阳区八里庄红领巾公园健壹迎祥会议服务中心成功举办。三星品牌存储相关领导与合作伙伴、媒体朋友欢聚一堂,共同分享三星品牌存储五年的成长。
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  3月17日,三星品牌存储“5年相伴,铭刻于星“五周年庆典活动在北京朝阳区八里庄红领巾公园健壹迎祥会议服务中心成功举办。三星品牌存储相关领导与合作伙伴、媒体朋友欢聚一堂,共同分享三星品牌存储五年的成长。

  据悉,今年1-8月份,三星电子西安半导体工厂已累计实现产值115.09亿元,突破百亿元大关,形成了存储信息产业的规模化、高端化和差异化特色。

  随着用户需求的不断提升,对存储产品的容量、性能都有了更高的要求。为此,三星存储创新推出了SAMSUNG V NAND技术,为固态硬盘带来全新的性 能体验。

  三星的SAMSUNG V NAND闪存采用垂直单元结构,不但突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性,更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。

  在消费级SSD领域,全新的950 PRO固态硬盘采用SAMSUNG V NAND 3D垂直闪存技术,并在消费级SSD中首次加入了 NVMe(Non-Volatile Memory Express)主控。950 PRO采用4通道第三代PCI-e接口,连续读写和随机读取速率都有 所提升,512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s,随机读写可达300000/110000 IOPS。满足用户对未来计算系统不断增加 的存储需求。

  在存储卡产品端,目前包含PRO Plus, PRO, EVO Plus 和 EVO 几大系列,色彩缤纷、性能升级、具有5防功能的品牌存储卡产品在市场上广受好评。

  在U盘产品方面,三星存储推出了全新的USB 3.0U盘,Bar、FIT和DUO。该系列U盘纤巧、精致,具备三个符合人体工程学设计的因素,而且每个 U盘都采用强大的三星NAND闪存技术,可提供高达130MB/s的顺序读取速度,并拥有三星5大防护技术与5年的保修承诺。