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三星宣布7nm LPP工艺芯片量产:性能增加20%

科技资讯  2018年10月19日 02:19  来源:新浪科技
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  根据外媒AnandTech的消息,三星工厂周三表示,它已经开始使用其7LPP制造技术生产芯片,该技术使用极紫外光刻(EUVL)制作选择层。新的制造工艺将使三星能够显着提高芯片的晶体管密度,同时优化其功耗。此外,EUVL的使用使三星能够减少每个芯片所需的掩模数量并缩短其生产周期。

  ▲图自ANANDTECH

  这家半导体制造商表示,7LPP制造技术可以减少40%的面积(同样的复杂性),同时降低50%的功耗(在相同的频率和复杂度下)或性能提高20%(在相同的功率和复杂性下) )。看起来,选择层使用极紫外光刻技术使三星Foundry能够在其下一代SoC中放置40%以上的晶体管并降低其功耗,这是移动SoC的一个非常引人注目的主张,将由其母公司使用。

  三星在其位于韩国华城的Fab S3生产7LPP EUV芯片。该公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步进扫描系统和每个280 W光源上处理1500个晶圆。三星没有透露它是否使用薄膜来保护光掩模免于降级,但仅表明使用EUV可以将芯片所需的掩模数量减少20%。此外,该公司表示,它已经开发出专有的EUV掩模检测工具,可以在制造周期的早期进行早期缺陷检测并消除缺陷(这可能会对产量产生积极影响)。

  三星Foundry没有透露其首先采用其7LPP制造技术的客户名称,但仅暗示使用它的第一批芯片将针对移动和HPC应用。通常,三星电子是半导体部门的第一个采用其尖端制造工艺的客户。所以,预计到2019年,三星智能手机将推出一款7nm SoC。此外,高通将采用三星的7LPP技术作为其“Snapdragon 5G移动芯片架构”。

  “随着EUV工艺节点的引入,三星在半导体行业引领了一场静悄悄的革命,” 三星电子代工销售和营销团队执行副总裁Charlie Bae说。“晶圆生产方式的这种根本性转变使我们的客户有机会以卓越的产量,减少的层数和更高的产量显着提高产品的上市时间。我们相信7LPP不但是移动和HPC的最佳选择,也适用于广泛的尖端应用。“

  三星的7LPP制造技术优于公司专为移动SoC设计的10LPP,具有令人印象深刻的优势。同时,为了使该流程对广泛的潜在客户具有吸引力,该代工厂提供了一套全面的设计支持工具,接口IP(控制器和PHY),参考流程和先进的封装解决方案。

  此时,7LPP得到了众多三星高级代工生态系统(SAFE)合作伙伴的支持,包括Ansys,Arm,Cadence,Mentor,SEMCO,Synopsys和VeriSilicon。另外,三星和上述公司还提供HBM2 / 2E,GDDR6,DDR5,USB 3.1,PCIe 5.0和112G SerDes等接口IP解决方案。所以,2021年及之后的SoC芯片开发商将依靠PCIe Gen 5和DDR5开始设计他们的芯片。

  至于封装,使用7LPP EUV技术制造的芯片可以与2.5D硅插入器(如果使用HBM2 / 2E存储器)以及三星的嵌入式无源基板耦合。

  如上所述,三星在其Fab S3上安装了EUV生产工具,后者依然拥有大量的DUV(深紫外线)设备。由于EUVL仅用于选择7LPP芯片层,因此相对有限数量的Twinscan NXE:3400B扫描仪几乎不成问题,但当三星的工艺技术需要EUV用于更多层时,可能需要扩展其EUV容量。

  编译自ANANDTECH